上证报中国证券网讯斯达半导4月26日发布2024年诚信双盈度业绩报告，实现营业收入33.9亿元，同比下降7.4%；归母净利润5.08亿元诚信双盈，同比下降44.2%；扣非归母净利润4.87亿元，同比下降45.0%；经营现金流净额9.63亿元，同比增长151.5%；每股收益（全面摊薄）2.12元。
公司主营业务是以IGBT和SiC为主的功率半导体芯片和模块的设计研发、生产及销售，总部位于浙江嘉兴，在上海、重庆、欧洲设有子公司，在国内和欧洲均设有研发中心。公司长期致力于IGBT、快恢复二极管、MOSFET等功率芯片的设计和工艺及IGBT、SiCMOSFET等功率模块的设计、制造和测试，产品广泛应用于工业控制和电源、新能源、新能源汽车、白色家电等领域。
2024年，IGBT模块的销售收入占公司主营业务收入的92.09%，是公司的主要产品。目前，公司已经实现自主IGBT芯片、快恢复二极管芯片、SiCMOSFET芯片的量产，以及IGBT和SiC模块的大规模生产和销售。公司继续加大研发投入，研发费用从上年的28741.58万元增加到2024年的35429.93万元，同比增长23.27%。
在新能源汽车领域，公司是国内车规级IGBT/SiC模块的主要供应商，公司积极开拓海外市场并获得了多家国外头部Tier1的项目定点。2024年，公司新增多个海外一线品牌Tier1的IGBT/SiCMOSFET主电机控制器项目平台定点，将对公司新能源汽车行业2025-2030年的销售增长提供持续推动力。公司自主研发的车规级第二代SiCMOSFET芯片研发成功并通过客户测试，功率密度较第一代提升20%以上。
在新能源发电领域，公司是国内多家主流光伏逆变器客户、风电逆变器客户的主要供应商，并且与头部企业建立了深入的战略合作关系，公司根据客户需求不断推出符合市场需求的具有市场竞争力的产品；2024年，公司基于第七代微沟槽TrenchFieldStop技术的IGBT模块在集中式储能电站持续大批量装机；基于第七代微沟槽TrenchFieldStop技术的IGBT模块在组串式储能系统、工商业储能系统领域研发成功并开始批量交付；在光伏逆变器、储能等下游行业推出多个封装系列的750V、1200VSiCMOSFET分立器件（单管）产品，已经在多家客户通过测试并开始小批量验证。
在工业控制领域，公司目前已经成为国内多家头部变频器企业IGBT模块的主要供应商，同时，公司是工控行业多家国际企业的正式供应商。报告期内，公司继续深化与战略客户的合作关系，不断提高市场份额。2024年，公司获得汇川技术颁发的“二十年战略合作奖”、施耐德（Schneider）颁发的“2023年度优秀新晋供应商奖”、丹佛斯（Danfoss）颁发的“2023BestVAVESupplier”等奖项。公司在工业控制和电源行业持续开展新产品和新技术的推进诚信双盈，基于第七代微沟槽TrenchFieldStop技术的IGBT模块在国内外多家工控客户测试通过并开始批量使用。（徐宇）
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